存储芯片价格涨幅或将超出预期

5月7日，TrendForce集邦咨询发布最新报告，上调了两类存储产品价格的涨幅预测。

该机构原预估今年二季度DRAM内存合约价上涨3%—8%，现估计为13%—18%；NAND原预估上涨13%—18%，现预估为15%—20%。

究其原因，除买方意欲支撑手中库存价格外，更多的是AI热潮对存储业供需双方带来了心理上的转变。
存储芯片巨头美光此前表示，HBM3E内存的晶圆消耗量3倍于传统DDR5内存。

三星电子日前公布的今年一季度营业利润同比大增931.9%，存储业绩复苏拉动半导体业务扭亏为盈。

方正证券认为，服务器、PC、智能手机仍处于AI全面渗透的早期阶段，HBM产能已排至2025年，AI Phone、AI PC都将在2024—2025年开启放量，将全面带动各大应用领域的存储容量高速扩张。

来源：摘自上证报（12）